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Mn基MXene材料具有的优异的电子结构和磁学性质以及在纳米电子器件的应用逐渐受到人们的广泛关注。由于其独特的机械和本征铁磁性的电子性能,Mn基MXene中Janus结构有望为先进的磁电存储技术提供新的二维纳米平台。在超薄磁性存储、隧穿磁电阻等方面有潜在应用。通过原子吸附、外加应变、外加电场等手段调控二维Janus Mn基MXenes材料的电子结构和磁学性质,为其在电子学和磁性存储器件中的应用提供理论依据。本文利用密度泛函理论主要研究了:（1）二维Janus Mn2CXX’（X≠X’=F、Cl、Br、I）单层材料的电子结构和磁性;（2）二维Mn2CFCl/Mo SSe范德华异质结构在不同电场和应变作用下的电子结构和磁学性质;（3）二维Mn2CFCl/Cu Bi P2Se6范德华异质结构在不同双轴应变下的电子结构和磁学性质。二维Janus Mn2CXX′（X≠X′=F、Cl、Br、I）单层材料显示为铁磁性半金属;声子谱的结果证明Mn2CXX′单层能够相对稳定存在;自旋轨道耦合效应对Mn2CXX′单层的影响不明显;Mn2CFCl、Mn2CCl I和Mn2CCl Br显示垂直磁各向异性（perpendicular magnetic anisotropy,PMA）,而Mn2CFBr具有面内磁各向异性（in-plane magnetic anisotropy,IMA）;通过外加双轴应变可以对Mn2CCl I进行调节,如在双轴应变为-2%、±4%和-6%时,其展现为IMA。二维Mn2CFCl/Mo SSe范德华异质结构显示半金属性质且磁各向异性展示为PMA;二维Mn2CFCl/Mo SSe范德华异质结构计算了不同的外加电场和双轴应变下的电子结构和磁性;Mn2CFCl/Mo SSe异质结构在应变为2%时,会显示出谷隙的最大值（0.18 e V）;随着正电场的增加,谷隙也会随着增长;在±2%、±4%和6%的双轴应变下,异质结构显示PMA,而在ε=-6%时磁各向异性由垂直变为面内,Mn2CFCl/Mo SSe系统在±0.2、±0.4和-0.6 V/（?）的电场下显示PMA,而在0.6 V/（?）的电场下显示IMA。计算二维Mn2CFCl/Cu Bi P2Se6范德华异质结构的电子结构和磁性的影响时,考虑了铁电材料Cu Bi P2Se6的极化方向对铁磁材料Mn2CFCl的调控;P↑态显示半金属特性,而P↓态显示金属性;极化状态会影响异质结的电势差;二维Mn2CFCl/Cu Bi P2Se6异质结均为PMA;外加应变并不会改变P↑态的磁各向异性,然而当应变为-2%、-4%和6%时,P↓态就会由PMA转变为IMA。