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聚偏氟乙烯(PVDF)是一种优秀的聚合物热释电材料,PVDF薄膜型的热释电探测器具有性价比高、体积小的优点,且制备工艺简单、可进行大规模生产。这使PVDF材料成为商用及军用的热门材料制备热释电探测器。本文对PVDF薄膜型太赫兹热释电单元器件的研究,采用旋涂法制备PVDF薄膜,并针对其热释电系数较小的缺点,提出一种掺杂Mg(NO3)2.6H2O的新方法提高PVDF薄膜β晶相的含量,从而得到高热释电性能的PVDF薄膜,同时测试了PVDF薄膜和Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜的介电、铁电、热释电性能,并制备出单元器件,搭建测试平台,测试单元器件性能。研究PVDF薄膜制备工艺及介电、铁电、热释电性能。研究不同溶剂对薄膜红外光谱的影响,退火工艺对PVDF薄膜表面形貌的影响,不同衬底材料(Al和FTO)和测试温度对PVDF薄膜介电、漏电性能的影响。测试了极化后PVDF薄膜的电滞回线、漏电流和热释电系数。测试得到PVDF的漏电流为1.5×10-8A、剩余极化强度Pr=0.65μC/cm2、矫顽电场Ec=39v/μm、热释电系数p=8.7×10-10C/Kcm2。通过溶液法得到PVDF薄膜仅含有少量的β晶相,具有较低的热释电性能,本文提出一种掺杂Mg(NO3)2.6H2O的新方法,得到具有高β晶相的PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜,并对其表面形貌、红外光谱、介电、漏电、铁电、热释电性能进行研究。测试得到在1KHz条件下PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合薄膜的相对介电常数为10.8、介电损耗为0.05、漏电流为-1.28×10-10A、剩余极化强度Pr=1.22μC/cm2、矫顽电场Ec=50v/μm、热释电系数p=6.3×10-9 C?cm-2?K-1,计算出电压响应优值Fv=2.3×10-10C?cm?J-1、探测优值Fd=4.3×10-9C?cm?J-1。通过本实验制备的PVDF/Mg(NO3)2.6H2O复合材料具有优秀的热释电性能。研究PVDF薄膜的太赫兹热释电探测单元的制备工艺,制备出平面的结构的PVDF热释电单元探测器。并根据实验室条件自行搭建的太赫兹测试系统分别对PVDF薄膜和PVDF/Mg(NO3)2.6H2O薄膜的热释电单元探测器进行测试。