【摘 要】
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ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能,如可以作为太阳能电池的窗口材料,特别是以化学气相沉积法、分子束外
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ZnSe是一种具有直接能隙(2.7eV)的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,由于在半导体器件的应用中具有相当大的潜能,如可以作为太阳能电池的窗口材料,特别是以化学气相沉积法、分子束外延法、热壁外延法等技术制备的ZnSe,已经被广泛研究。近年来,以电沉积方法制备的化合物半导体多晶薄膜能够很好的应用于太阳能电池中。在本论文中,利用电解质(Se02=0.001-0.008 M和ZnSO4=0.1～0.8M)的电化学还原作用,在酸性溶液中(pH=2.3)将ZnSe薄膜沉积在ITO基体上。利用恒电位法来控制化学计量比,并讨论沉积条件(沉积电位、pH值、沉积温度、溶液中各成分浓度以及沉积时间)对其影响。研究证明,溶液中所含Zn2＋浓度要高(0.2M),而Se02浓度要非常低(0.001M),沉积电位为-800mV,pH为2.3,沉积时间20分钟时,才可得到接近于Zn/Se=1的化学计量比的ZnSe薄膜。
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