1962年，第一支半导体激光器被发明出来，经过几十年的发展，半导体激光器技术取得了惊人的进展。凭借体积小、重量轻、效率高、省电等优势，目前半导体激光器已经广泛应用于光纤通信、光盘存储、全色显示、激光传感、激光印刷，以及军事方面如激光测距、制导、窃听等领域。半导体激光器技术涉及学科领域多，发展迅速，大量的研究论文被报道。但是国内针对GaAs半导体激光器金属欧姆接触电极制备方面的深入细致研究还比较少。本论文主要介绍了GaAs半导体激光器的欧姆接触电极的制备及其原理，对GaAs半导体激光器的欧姆接触电极进行了深入的研究，发现金属与P、N面半导体欧姆接触的变化规律及影响因素。在保证金属电极外观的情况下，得到了优良的GaAs半导体激光器的欧姆接触电极，改善了激光器的光电性能和可靠性。