近十年来,随着无线通信系统的迅猛发展和 CMOS工艺技术的不断进步,采用低成本的 CMOS工艺实现高性能射频通信电路和系统成为可能。作为无线传输设备的核心器件,射频集成电路的设计技术和应用层面的产品开发一直以来倍受重视。因此,如何设计出高性能的CMOS射频集成前端已成为当前的研究热点。　　本论文的主要工作是基于SMIC0.18μm RF CMOS工艺,设计用于IEEE802.11b标准的2.4GHz无线局域网射频接收机前端的低噪声放大器和下变频混频器。本论文提出一个简化的短沟道MOSFET设计模型,说明了该模型中各个参数的物理意义并用仿真数据拟合的方法提取模型参数。分析了源极电感负反馈LNA的输入阻抗匹配、小信号功率增益、噪声系数和线性度。通过建立LNA设计方程组和使用等高线设计法,快速搜索符合要求的设计空间完成差分LNA的设计,减少了迭代次数。Spectre-RF仿真结果表明,在2.45GHz处,LNA输入输出匹配良好,功率增益为17.4dB,噪声系数为1.7dB,输入1dB压缩点为-13.5dBm,输入三阶交调点为-1.7dBm。在1.8V电源电压下,功耗约为22mW。　　下变频器的设计以Gilbert有源双平衡混频器为基础,采用线性区MOSFET补偿的方法提高线性度,采用电流注入技术减小开关级的闪烁噪声。Spectre-RF仿真结果表明,转换电压增益为4.6dB,双边带噪声系数为7.4dB,输入1dB压缩点为-8.6dBm,输入三阶交调点为1.8dBm。在1.8V电源电压下,功耗约为39mW。最后,使用Cadence Virtuoso平台进行版图设计,使用Assura工具进行物理验证。