β-Ga₂O₃是一种直接宽带隙半导体（4.5-4.9eV）,化学稳定性、热稳定性良好,在深紫外监测中有着广阔的发展前景。β-Ga₂O₃紫外探测器可以基于β-Ga₂O₃薄膜和纳米材料来制作,但是β-Ga₂O₃纳米材料较薄膜和体材料而言,具有更大的比表面积,表现出对表面过程的超高敏感度,成为国内外研究的热点。本文采用CVD方法生长出高产量、大面积、且尺寸均一的β-Ga₂O₃纳米球,基于β-Ga₂O₃纳米球制作了Au/β-Ga₂O₃纳米球/Au结构和β-Ga₂O₃纳米球/p-Si异质结两种不同类型的日盲紫外探测器,并分别对它们的光电特性进行了研究。取得的主要成果如下:（1）利用化学气相沉积法,以氧化镓粉末和碳粉作为原材料,在无任何催化剂的条件下,制备出了高产量、大面积、且尺寸均一的β-Ga₂O₃纳米球,并研究了不同生长温度对样品形貌和晶体质量的影响。实验结果表明,随着生长温度的增加,β-Ga₂O₃纳米球的数量明显增多且分布更加密集,纳米球的直径分布大约在200-700nm。此外,还发现在样品XRD图谱中（-202）衍射峰的半高宽随生长温度的增加其值变小,结合SEM结果得出1200℃为本实验生长β-Ga₂O₃纳米球的最佳生长温度。（2）利用简单的金属探针划刻法,构筑了基于β-Ga₂O₃纳米球的Au/β-Ga₂O₃纳米球/Au结构日盲紫外探测器件。通过光电测试表明,在5V偏压下,器件的光/暗电流之比约为72,响应度为6.7×10^-3A/W,器件的响应和恢复时间分别为0.6s和0.83s,测试结果表明该器件对254nm的紫外光具有较快速、灵敏的探测性能。此外,还对β-Ga₂O₃纳米球日盲紫外探测器的工作机理进行了研究。（3）基于生长的β-Ga₂O₃纳米球制作了β-Ga₂O₃纳米球/p-Si异质结型日盲紫外探测器,并对其光电性能进行了研究。结果表明:器件具有良好的整流特性,对254nm紫外光有明显的光响应,在0V偏压下,器件显示出明显的自驱动特性。通过光电测试表明,在0V偏压下,器件的暗电流为0.13nA,光电流为131nA,光暗电流比约为1000,响应上升和下降时间分别约为1.46s和1.42s。