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随着科技的不断发展,各类微波测试设备和军民用电子装备对微波旋磁器件性能的要求不断提高,这就对微波旋磁材料本身的性能提出了更高的要求。同时,现代微波电路小型化、平面化、集成化的特点也使得薄膜材料的研究蓬勃发展。钇铁石榴石(YIG)是一种应用非常广泛的微波旋磁材料,在其基础上设计的谐振器是矢量网络分析仪等测试设备的关键部分。传统的YIG谐振器多采用小球作为谐振子,但是小球谐振器体积大,设计复杂,且无法与现代微波集成电路兼容。本文研制了低损耗微波单晶YIG厚膜,在此材料的基础上设计制作了薄膜谐振器,弥补了小球谐振器的缺点,其器件体积小,结构简单,平面化的结构易与MMIC集成,符合现代通信系统对器件的要求。本论文利用液相外延法制备了单晶镧代(La:YIG),并设计了一种基于静磁表面波(MSSW)的平面化高Q值YIG调谐谐振器。首先,采用液相外延法制备La:YIG单晶厚膜,研究了La:YIG厚膜的性能以及生长La:YIG超厚膜的工艺条件。液相外延制得的单面厚度为59.35微米的La:YIG厚膜饱和磁化强度4πMs为1705Gs,铁磁共振线宽最小可以达到1.05Oe@3GHz。最后成功外延出单面厚度为83.11μm的La:YIG超厚膜。其次,研究了YIG薄膜的刻蚀工艺,YIG薄膜的刻蚀工艺对静磁波器件的设计以及自旋方面的研究有重要意义。探索了刻蚀液浓度、刻蚀温度、刻蚀时间等参数对刻蚀效果的影响,最后应用了一种4层掩膜的方法,显著提升了刻蚀效果。最后,基于实验制备的La:YIG膜,设计了一种X波段静磁表面波谐振器,测试时发现,在调谐频率范围内,有载Q值最大可达2750,但是插入损耗较大,调谐范围内几乎都大于15dB。通过在膜表面刻蚀周期性的凹槽,Q值最大可达到2850,在调谐频率内插损小于15dB。