自激光器问世开始,相关产业与日俱增,如今激光技术已经完善成为一门新兴学科。随着相关产业的发展以及科学技术的进步,激光器的衍生产品日益增加,激光的应用使大批行业产生了时代性的变革。如:医疗、加工、测距、光通信、打印、打标等等。硅基PIN光电二极管是光电器件中最常见的一种,其具有量子效率高、响应速度快、质量小、测量精度高等优点,常应用于近红外探测。因此激光致硅基PIN光电二极管电学性能退化研究具有十分重要的意义。在近年的研究中多为光电二极管的热力学损伤阈值研究,对于毫秒量级激光致硅基PIN光电二极管电学损伤的研究还未见报道。本文针对毫秒量级的1064nm Nd:YAG激光致硅基PIN光电二极管的电学损伤展开研究。采用COMSOL Multiphysics有限元软件模拟分析了激光损伤硅基PIN光电二极管的过程,对硅基PIN光电二极管的多层结构建立了二维轴对称模型,得到了硅基PIN光电二极管温度场与应力场随空间位置的变化规律,通过应力场对晶格晶键作用,得到了热应力对硅基PIN光电二极管电学性能的影响,当屈服应力大于1.7GPa时,光电二极管发生损伤。在实验中监测了探测器上表面温度的变化,测量了损伤后硅基PIN光电二极管的形貌,离线测量了硅基PIN光电二极管的响应度以及暗电流。通过将实验与仿真对比分析,讨论了致使硅基PIN光电二极管电学性能退化的原因。本文的研究结果为激光致硅基PIN光电二极管电学性能退化提供了理论指导,为研究激光损伤光电探测器研究工作提供参考。