【摘 要】
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瞬时液相键合形成金属间化合物(IMC)焊点的工艺可以有效实现芯片堆叠互连,已成为3D封装芯片堆叠互连的核心技术之一,但IMC焊点存在柯肯达尔空洞和应力集中等致命缺点,导致芯片堆叠互连的可靠性急剧下降。本文针对瞬时液相键合形成的IMC焊点存在的问题,基于热力学原理,采用实验技术与有限元模拟相结合的方法,深入研究瞬时液相键合机理,并通过在Sn互连钎料中加入适量微米级CuZnAl颗粒改善键合焊点的性能及
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目“3D封装芯片瞬时液相键合焊点改性机理及可靠性研究”(项目编号:51475220);
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瞬时液相键合形成金属间化合物(IMC)焊点的工艺可以有效实现芯片堆叠互连,已成为3D封装芯片堆叠互连的核心技术之一,但IMC焊点存在柯肯达尔空洞和应力集中等致命缺点,导致芯片堆叠互连的可靠性急剧下降。本文针对瞬时液相键合形成的IMC焊点存在的问题,基于热力学原理,采用实验技术与有限元模拟相结合的方法,深入研究瞬时液相键合机理,并通过在Sn互连钎料中加入适量微米级CuZnAl颗粒改善键合焊点的性能及可靠性。论文的主要工作及相关成果如下:(1)采用Sn互连钎料作为键合材料,通过TEM测试表征Sn/Cu界面反应特征,探讨瞬时液相键合机理,研究瞬时液相键合工艺参数对焊点的组织形成影响,分析不同键合温度下焊点的组织演化规律与生长动力学,探究IMC焊点产生的柯肯达尔空洞与IMC种类、生长行为之间的关系。结果表明:采用瞬时液相键合形成IMC焊点,可以达到“低温键合,高温服役”的目标;在250℃键合温度、0.1 N压力、120 min键合时间下可获得较好的IMC焊点;Cu3Sn在235、250和265℃的动力学指数n接近1/3,表明Cu3Sn的生长受晶界扩散控制;Cu3Sn IMC的生长是产生空洞的主要因素。(2)根据Cu3Sn与空洞的相关性,提出在Sn互连钎料中添加微米级CuZnAl颗粒对其进行改性研究,研究CuZnAl颗粒抑制IMC生长机理,优化颗粒的添加量。结果表明:CuZnAl颗粒易于吸附在IMC晶粒的表面,降低了晶粒生长的自由能,从而抑制了界面IMC的过快生长;当CuZnAl的添加量为0.5 wt.%,焊点界面IMC得到最大程度抑制;CuZnAl颗粒的添加显著提高了Sn互连钎料的润湿性和力学性能,CuZnAl颗粒的最佳添加量为0.5 wt.%,润湿性最大幅度提高22.6%,力学性能最大幅度提高40.8%。(3)选择Sn-0.5CuZnAl复合互连钎料作为键合材料,研究0.5 wt.%微米级CuZnAl颗粒对键合Cu/Sn/Cu焊点的改性机制。结果表明:键合过程中,Cu/Sn-0.5CuZnAl/Cu复合焊点界面IMC的生长和柯肯达尔空洞均得到显著抑制,焊点的键合强度提高了8.5~22.3%,验证了CuZnAl颗粒的添加可以改善Cu/Sn/Cu焊点的组织与性能。(4)对3D封装结构进行有限元分析,研究瞬时液相键合焊点的可靠性,基于田口法优化封装结构和工艺参数。结果表明:Cu柱与焊点接触处是整个结构的薄弱区域,在IMC焊点阵列中最右列第二个焊点处出现最大应力;获得了4个因子对S/N的贡献度为:焊点阵列>焊点高度>芯片厚度>焊点材料,最优的匹配组合为:3×3阵列,焊点高度为0.02 mm,芯片厚度为0.2 mm,焊点材料为Cu6Sn5。(5)通过热循环试验研究IMC焊点的热疲劳可靠性。结果表明:Cu/Sn/Cu焊点的热疲劳寿命为1294次,Cu/Sn-0.5CuZnAl/Cu焊点的热疲劳寿命为1459次;在相同的循环次数下CuZnAl颗粒可以显著降低Cu/Sn/Cu焊点界面Cu3Sn层的厚度和柯肯达尔空洞的产生,经3000次热循环Cu/Sn/Cu焊点中出现许多裂纹,而Cu/Sn-0.5CuZnAl/Cu焊点中未发现裂纹,保持了良好的焊点组织。本文所获得的3D封装瞬时液相键合机理及焊点改性研究的研究成果可为提高3D封装芯片堆叠键合焊点性能及可靠性提供新的解决方案,对电子工业等领域器件的封装技术具有重要的推动作用。
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