本论文以铋层类钙钛矿结构铁电材料SrBj<4,>Ti<,4>O<,15>为对象，研究了A、B位离子掺杂和烧结工艺对材料的晶体结构、介电和压电性能的影响。结合XRD和SEM研究和观察陶瓷晶相组成和显微形貌。通过分析离子掺杂和烧结工艺对材料的温度特性、电阻率和弛豫现象等的可能影响机制，获得了相对致密、细晶、均匀、综合性能良好的陶瓷材料。 (1) Sr<,1-x>Ba<,x>Bi<,4>Ti<,4>O<,15>陶瓷的烧结和介电性能研究。Ba<2+>取代Sr<2+>显著改善了材料的烧结性能及介电性能。当Ba<2+>适量取代Sr<2+>时，可将Sr<,1-x>Ba<,x>Bi<,4>Ti<,4>O<,15>陶瓷的损耗降至50×10<-4>以下，并使陶瓷的绝缘电阻率提高一个数量级。 (2) Sr<,0.3>Ba<,0.7>Bi<,4-x>La<,x>Ti<,4>O<,15>陶瓷的烧结与介电性能研究。La<3+>取代Bi<3+>提高了材料的室温介电常数。随取代量的增加，居里温度降低，居里峰宽化，呈现出明显的弛豫特性。 (3) 烧结工艺对Sr<,0.3>Ba<,0.7>Bi<,3.7>La<,0.3>Ti<,4>O<,15>陶瓷结构及性能的影响研究。主要针对含Bi材料高温易挥发、不易获得致密陶瓷的特点，尝试采用低温长时间保温的两步烧结法来控制该类材料的显微结构，并减少Bi的挥发以及氧空位的形成，从而获得了结构相对致密、综合性能显著改善的陶瓷材料。采用两步烧结工艺，使陶瓷的室温介电常数从234提高到260，介电损耗从106×10<-4>降低到71×10<-4>，并提高了陶瓷的高温电阻率，减弱了陶瓷的高温低频耗散现象，并使居里温度从408℃降到345℃。 (4) Sr<,0.3>Ba<,0.7>Bi<,3.7>La<,0.3>Ti<,4>O<,15>陶瓷的结构和电性能研究。V<,2>O<,5>的低熔点性以及V<5+>的B位高价取代对Sr<,0.3>Ba<,0.7>Bi<,3.7>La<,0.3>Ti<,4>O<,15>陶瓷的烧结、微观结构、介电和压电性能有很大影响，V<5+>掺杂引起的氧空位浓度的减少以及晶格畸变改善了陶瓷的压电性能和高温绝缘特性。在本论文研究的V掺杂量范围内，V<5+>进入B位取代Ti<4+>后对居里温度Tc影响不大。