CuFeO2作为一种典型的p型半导体,其带隙宽度约为1.5 eV,组成它的铜铁元素有着丰富的地球储量,同时它制备简便,拥有较好的光吸收性能与稳定性等优势。然而CuFeO2材料中极易发生光生载流子的体相复合与表面复合,光生载流子分离效率低,很大程度上阻碍了它在光电化学方面的应用。本文通过构筑CuFeO2纳米薄片和CuFeO2/ZnO异质结结构两个方面来解决CuFeO2材料光生载流子复合的问题。本文的主要工作如下:(1)研究了水热反应条件对CuFeO2形貌与光电化学性能的影响,结果表明,采用硫酸盐体系在高NaOH浓度下制备的CuFeO2,具有耐腐蚀性强、光电化学性能好、形貌结构均一等优势。(2)为了抑制材料的体相复合,通过引入海藻酸钠(SA)作为软模板剂,成功控制合成厚度约为40 nm的CuFeO2纳米薄片。通过滴涂的方法制成光阴极,在电势为-0.3 V时,CuFeO2纳米薄片的光响应电流为19.28 μA·cm-2,大于体块材料8.88μA·cm-2的光响应电流值。通过开路光电势衰减曲线图、时间-电流曲线图分析,CuFeO2纳米薄片结构缩短了光生载流子的传输路径,能有效的抑制光生载流子复合。(3)为了进一步优化CuFeO2纳米薄片性能,解决CuFeO2纳米薄片光生载流子表面复合的问题,构筑CuFeO2/ZnO异质结结构来进一步利用纳米薄片表面的光生载流子。通过一步常压热液法,在CuFeO2表面外延生长ZnO种子;再将前驱体悬浊液二次水热,通过调控反应时间来控制ZnO的长短即ZnO在异质结结构所占的质量比。两种材料接触的界面处存在一个自建电场,在促进电荷分离的同时能够促进电荷传输,ZnO的量不同使得异质结结构的光生载流子分离方向不同,实现了光催化还原苯甲醛生成苯甲醇。