【摘 要】
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随着当代电子产品朝着速度更快、体积更小、功率更高的方向发展,提高基片材料的热导率越来越引人关注。人工合成金刚石的技术日趋成熟使得金刚石产品应用在电子工业上逐渐成为可能。本文采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在铜上沉积了金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、拉曼光谱(Raman)、维氏硬度计进行检测分析,研究了工艺参数对金刚石薄膜生长及过渡层膜/基结合性
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随着当代电子产品朝着速度更快、体积更小、功率更高的方向发展,提高基片材料的热导率越来越引人关注。人工合成金刚石的技术日趋成熟使得金刚石产品应用在电子工业上逐渐成为可能。本文采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以CH4和H2为反应气体,在铜上沉积了金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、拉曼光谱(Raman)、维氏硬度计进行检测分析,研究了工艺参数对金刚石薄膜生长及过渡层膜/基结合性能的影响。得出结论如下：1.直接在铜上沉积金刚石形核率较小,采取金刚石颗粒/丙酮处理与加大表面
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