近年来,一维半导体异质结纳米材料成为当今纳米材料科学的研究热点。一维半导体异质结可以“裁剪”一维同质纳米线的性质,因此具有独特的形貌结构和许多特殊的性质,在诸多领域具有潜在应用。本论文中研究基于CdSe的半导体异质结纳米材料的可控制备和振动性能研究。主要内容包括：1、采用化学气象沉积(CVD)方法,以CdSe和Ge粉末为原材料,通过控制Ge粉的量,使CdSe与Ge的摩尔比分别为1：1,1：2,1：3和1：4,在沉积区的不同位置分别得到了四种产物,包括1)CdSe-Ge并轴异质结纳米线与CdSe-Ge-CdSe三明治结构纳米线；2)以CdSe-Ge并轴异质结纳米线为核,多晶Ge为壳的电缆状分等级异质结构纳米线；3)Ge-GeSe并轴异质结纳米线；4)GeSe纳米带。运用XRD、SEM、HRTEM、EDS和SAED分别对4个样品进行了物相和微结构分析,发现CdSe-Ge并轴异质结纳米线与CdSe-Ge-CdSe三明治结构纳米线中的Ge和CdSe亚纳米线为单晶,GeSe-Ge并轴纳米线中的GeSe和Ge亚纳米线和GeSe纳米带为单晶。CdSe-Ge并轴纳米线和GeSe-Ge并轴纳米线中异质结的界面质量良好。CdSe-Ge-CdSe三明治结构纳米线中两侧的CdSe亚纳米线均存在高密度的层错,TEM图中显示的两侧CdSe亚纳米线的不同仅是由于观测角度造成的。2、提出了CdSe-Ge并轴(CdSe-Ge-CdSe三明治结构)异质结纳米线和GeSe-Ge并轴纳米线可能的生长机理为基于气-液-固(VLS)的共生机理。以CdSe-Ge并轴异质结纳米线为核,多晶Ge为壳的电缆状分等级异质结构纳米线是过量的Ge在CdSe-Ge并轴纳米线上二次生长的结果。GeSe为CdSe和Ge在气相中反应产生。气相中的GeSe、CdSe和Ge三种化合物根据它们不同的气化点沉积在了不同的区域,因此,在相应的区域分别得到了不同产物。3、用室温拉曼谱研究了四种产物的振动特性。和相应体相材料相比,CdSe亚纳米线的LO模,Ge亚纳米线的LO (TO)模和GeSe亚纳米线(纳米带)的LO和TO模蓝移或红移。在CdSe-Ge并轴(三明治结构)纳米线中CdSe的LO模蓝移20cm-1,可能是由于CdSe-Ge-CdSe三明治结构纳米线中CdSe亚纳米线的高密度的层错或者应力所造成的。在CdSe-Ge并轴(三明治结构)纳米线、以CdSe-Ge并轴异质结纳米线为核,多晶Ge为壳的电缆状分等级异质结构纳米线和GeSe-Ge并轴纳米线中Ge的LO模式与体块材料相比,分别红移了8cm-1,5cm-1和2cm-’。GeSe-Ge并轴纳米线和GeSe纳米带中GeSe的TO模分别红移了8cm-1和5cm-1；GeSe的LO模红移了3cm-1。振动模的红移可能是由于应力所造成,而不同波数的偏移可能是由于产物中Ge亚纳米线、Ge晶粒和GeSe亚纳米线的不同的尺度所造成。此外,文中排除了掺杂效应对产物振动模式的影响。