【摘 要】
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ZnO是直接宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37eV,激子结合能达到60meV,比GaN高出很多,使其在光电等领域有着可观的应用前景。要想使ZnO应用在实际生活中,需要解决的问题是实现ZnO的p型掺杂和p-n结的制备,而且可见光区的发光机理,没有得到大家统一的认可。本文采用溶胶-凝胶的方法制备B单掺、B和N共掺、Na和N共掺ZnO薄膜,考查了不同热处理温度以及掺杂浓度等因素对ZnO薄膜的结晶性、
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ZnO是直接宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37eV,激子结合能达到60meV,比GaN高出很多,使其在光电等领域有着可观的应用前景。要想使ZnO应用在实际生活中,需要解决的问题是实现ZnO的p型掺杂和p-n结的制备,而且可见光区的发光机理,没有得到大家统一的认可。本文采用溶胶-凝胶的方法制备B单掺、B和N共掺、Na和N共掺ZnO薄膜,考查了不同热处理温度以及掺杂浓度等因素对ZnO薄膜的结晶性、光学性能的影响,本文掺杂N元素的量与Zn的原子比为2.5:100。研究了B单掺杂、B和N共掺杂ZnO薄膜
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