高速八位RISC微控制器内核设计

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ifever2006
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文针对系统芯片的嵌入式应用,设计完成了一种高性能的新型八位微控制器内核,在很大程度上弥补了传统八位微控制器的不足,特别适合系统级芯片的嵌入式应用.该文对传统的MCS-51系列单片微控制器进行了较系统而细致的分析,找出了制约其性能的关键因素.分析发现,在传统八位微控制器设计中,基于累加器的ALU结构及CISC指令体系及系统构架是影响其整体性能的主要原因.考虑到微控制器内核的可移植性和可利用性,整个微控制器内核采用可综合风格的VerilogHDL语言编写,并且进行了较完整的软件仿真验证和FPGA仿真验证.
其他文献
期刊
VML(电压模式逻辑)是一种高速差分接口技术,它具有高速、低噪声、低功耗、低成本等优点,在千兆位串行器解串器(Serdes)芯片中获得了广泛的应用。本文首先详细介绍了几种常用
学位
期刊
目前,在公用电话网中广泛使用的是国际标准化组织ITU-TSSO15 1972年制定的64kb/s PCM(G.711)标准和1984年制定的32kb/s ADPCM(G.721)标准。近些年来,随着各种通信网的不断发展,频
学位
期刊
该文分析了直流供电系统接地故障的检测方法,介绍了绝缘在线监测装置的工作原理.装置采取软件交流磁调制检测技术,有效抵消了剩磁效应.装置设计采用单片机现场可编程外围芯片
六溴环十二烷(Hexabromocyclododecane,HBCD)是溴化的脂环烃,作为新型阻燃剂广泛用于隔热材料、纺织品包被材料和电子产品的生产和制造。在环境、生物体以及人体乳汁、血清和
该文应用在离子能流限制区,刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结论,提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型.首先对鞘层中无碰撞时的等离子体刻蚀轮廓进