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对半导体单异质结系统,引入三角势近似异质结势,考虑电子、杂质与声子的相互作用,利用改进的LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量.对Zn1-xCdxSe/ZnSe系统的杂质态结合能进行了数值计算,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系.结果表明,杂质-声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负.