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为解决金硅面垒半导体探测器存在的漏电流较大、表面不可擦拭、受环境影响严重、使用稳定性较差等缺点，开展性能更优异的Si-PIN核辐射探测器研究具有十分重要的意义，可推动α、n、裂变碎片能谱测量等技术进步。论文介绍了离子注入与平面工艺相结合制作Si-PIN探测器的方法，对灵敏面积为20 mm ×20 mm的Si-PIN探测器主要开展了I-V、C-V电学特性参数测量研究，开展了Si-PIN探测器对226 Ra源α粒子的能量分辨率、能量线性响应研究工作。当反向偏压为2043 pF时，探测器全耗尽时的漏电