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提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的spectre仿真结果表明，此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。
一种CMOS过热保护电路
【摘 要】
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提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的spectre仿真结果表明，此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂
【机 构】
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上海大学机械电子工程与自动化学院
【出 处】
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上海大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2002年4期
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