【摘 要】
：
基于时域有限差分法(FDTD)对一维金属线栅结构在0.2~2.6 THz波段的偏振特性进行了数值分析，研究了其结构参数如金属占空比、狭缝宽度以及线栅周期对相互垂直的两种偏振模式太赫兹波透射系数的影响。利用光刻和金属膜制备工艺，在1 mm厚的高阻硅衬底上淀积了200 nm厚的金膜，制成了一系列一维金属线栅结构。利用太赫兹时域光谱系统，实验测量了这些线栅结构的太赫兹透射特性，实验结果与模拟结果规律一致。结果表明：适当设计金属线栅周期，同时满足一定的金属占空比要求，其整体偏振和透射性能能够得到优化。金属线栅结构
【机 构】
：
首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室，北京100048
论文部分内容阅读
基于时域有限差分法(FDTD)对一维金属线栅结构在0.2~2.6 THz波段的偏振特性进行了数值分析，研究了其结构参数如金属占空比、狭缝宽度以及线栅周期对相互垂直的两种偏振模式太赫兹波透射系数的影响。利用光刻和金属膜制备工艺，在1 mm厚的高阻硅衬底上淀积了200 nm厚的金膜，制成了一系列一维金属线栅结构。利用太赫兹时域光谱系统，实验测量了这些线栅结构的太赫兹透射特性，实验结果与模拟结果规律一致。结果表明：适当设计金属线栅周期，同时满足一定的金属占空比要求，其整体偏振和透射性能能够得到优化。金属线栅结构参数与其太赫兹偏振性能之间的关系为制造太赫兹偏振器提供了参考。
其他文献
1987年11月11~13日在日本大阪大学激光核聚变研究中心召开了“短波长激光及其应用”国际会议,现将其中短波长激光的新尝试作一报道。
从求在双频场作用下的三能级原子系统的哈密顿量的本征函数和本征值出发,导出系统随时间的演化规律.从而得出宏观极化的表示式.计算了极化的频谱分布和它们的相对强度.
1970年11月17~20日在莫斯科举行了激光等离子体会议，参加的国家有：捷克斯洛伐克、德意志民主共和国、西德、法国、日本、罗马尼亚、英国、美帝与苏修。
In this paper, we examine the tiny polarization rotation effect in total internal reflection due to the spin–orbit interaction of light. We find that the tiny polarization rotation rate will induce a geometric phase gradient, which can be regarded as the
在S-300装置上研究了丝阵靶Z箍缩等离子体的软X射线辐射的动态过程.利用多通道X射线谱仪在50～2 000 eV范围内测量了丝阵靶内爆等离子体X射线辐射谱,辐射主要位于60～220 eV谱段.辐射谱可用温度为40～50 eV的Planck黑体谱近似描述.在能量高于500 eV的谱段,辐射谱与Planck黑体谱有较大的偏离.这主要是因为等离子体热斑的出现、在1.5～2 keV范围内线谱的存在和加速电子轫致辐射的结果.
简述了光纤滑环的光、电设计部分及用CPU检测光纤滑环的数据传输的实验研究,探讨了光纤滑环的插入及旋转损耗。说明使用光纤滑环可以解决在周视平台技术中必须实现的两个相对转动机构间信号的传递。
A series of highly Er^(3 )/Yb^(3 ) co-doped fluoroaluminate glasses have been investigated in order to develop a microchip laser at 1.54 μm under 980 nm excitation. Measurements of absorption, emission and up-conversion spectra have been performed to exam
We report low-noise, high-performance single transverse mode 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot lasers monolithically grown on silicon (Si) using molecular beam epitaxy. The fabricated narrow-ridge-waveguide Fabry–Perot (FP) lasers have achieved a room-temperat
目前注入式光激射器可以有利地用于一些通信问题上，并且会是担负空间任务的优良系统。可能作高精度跟踪雷达也是极优越的，然而在这方面还需要做更多的工作。
采用密度泛函B3LYP方法,在6-311 g(d,p)基组水平上优化了不同外电场下2-巯基-5-甲基-1,3,4-噻二唑(MMTD)分子的基态稳定构型、电偶极矩、电荷分布和分子的总能量,在此基础上利用杂化CIS方法研究了外电场下MMTD分子的前9个激发态的激发能、波长和振子强度受外电场的影响规律。结果表明:1C-6S和1C-7S间键长受到Y轴向外电场影响最大,随着外电场的增加,可能最先趋于断裂;在外电场强度F=0.010a.u.时总能量达到最大,而偶极矩达到最小;最低空轨道能级LUMO受外场影响较大,而