CVD法制备ZnS的生长率均匀性研究

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采用化学气相沉积(CVD)法制备ZnS块状多晶红外窗口材料,试验通过发迹炉内压力、增加Ar气稀释量以及改变H2S进气位置来研究沉积速率的均匀性。试验结果表明,炉内压力降低和增大Ar气稀释量,可提高晶体在衬底上的沉积速率均匀性,但沉积速率下降。改H2S进气位置,有效地改善了H2S气体的均匀分布,可提高沉积速率的均匀性,同时也提高沉积速率,交对显微组织和红外光谱性能进行了观察测试。
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