【摘 要】
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基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022（Ni3V）相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的
【机 构】
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西北工业大学凝固技术重点实验室,西北有色金属研究院
【出 处】
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China
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基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022（Ni3V）相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明：D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面（001）//（002）之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原
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