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本文以可控硅整流元件换相为基础,提出一个新概念:换相电流上升率dik/dr。以实例计算影响dik/dt的各种因素。对影响可控硅元件di/dt的原因进行了分析,提出可控硅元件di/dt=(1.5—3)dik/dt的经验数据。
可控硅整流器的di/dt分析
【摘 要】
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本文以可控硅整流元件换相为基础,提出一个新概念:换相电流上升率dik/dr。以实例计算影响dik/dt的各种因素。对影响可控硅元件di/dt的原因进行了分析,提出可控硅元件di/dt=(1
【机 构】
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宜宾天原化工厂
【出 处】
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中国氯碱
【发表日期】
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1993年Z1期
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