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在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容器的特性是通过控制外加电压Ｖ，可以改变其电容量Ｃ，且在Ｖ＝０值附近出现峰值Ｃｍａｘ。
MSOS电容器的研制及其C—V特性分析
【摘 要】
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在ＭＯＳ电容器的基础上提出了一种新型的电容器，它是由金属－非晶态半导体－氧化物半导体４层结构组成的电容器，简称为ＭＳＯＳ电容器，和Ｃ－Ｖ仪画出了它的Ｃ－Ｖ特性曲线；并用能带模型对此特性进行了分析，该电容
【机 构】
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武汉中南民族学院物理系
【出 处】
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中南民族学院学报：自然科学版
【发表日期】
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1996年1期
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