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保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO_3薄膜结构和性能的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wzgncsyj1

【摘 要】

：

本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt／Ti02／Si02／Si（111）基片上制备了多晶BiFe03（BFO）薄膜，并构架了Pt／BFO／Pt异质结电容器。利用X射线衍射（XRD）、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构

【作 者】

：

郝彦磊 刘保亭 彭增伟 贾冬梅 朱慧娟 张宪贵 

【机 构】

：

河北大学物理科学与技术学院

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2013年2期

【关键词】

：

偏轴磁控溅射 保持温度 XRD BIFEO3 off-axis magnetron sputtering   retained temperature   XR 

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本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt／Ti02／Si02／Si（111）基片上制备了多晶BiFe03（BFO）薄膜，并构架了Pt／BFO／Pt异质结电容器。利用X射线衍射（XRD）、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响。XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构，在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相，其它的温度均有明显的杂相。在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线，在900nm厚度的情况下，剩余极化强度仍可以达到P，〉40μC／cm2，达到了实际应

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