【摘 要】
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介绍了一种基于GSMC 130 nm CMOS工艺的高速率低功耗10:1并串转换芯片。在核心并串转换部分,该芯片使用了多相结构和树型结构相结合的方式,在输入半速率时钟的条件下,实现了1
【机 构】
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华中师范大学物理科学与技术学院硅像素实验室
【基金项目】
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自然科学基金面上项目(11875145)
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介绍了一种基于GSMC 130 nm CMOS工艺的高速率低功耗10:1并串转换芯片。在核心并串转换部分,该芯片使用了多相结构和树型结构相结合的方式,在输入半速率时钟的条件下,实现了10路500 Mbit/s并行数据到1路5 Gbit/s串行数据的转换。全芯片完整后仿真结果显示,在工作电压(1.2±10%)V、温度-55~100℃、全工艺角条件下,该芯片均可正确完成10:1并串转换逻辑功能,并输出清晰干净的5 Gbit/s眼图。在典型条件下,芯片整体功耗为25.2 mW,输出电压摆幅可达到260
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