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介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型，增加了对漂移区影响的考虑，同时，加入自热效应影响，且不用引入单独的自热网络，有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特有的准饱和效应和自热效应。在计算实验中，模拟数据很好地吻合实际器件的测量数据，证明该模型适用于LD-M0s功率器件在电路中的仿真。