【摘 要】
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Agilent日前宣布推出高线性度的E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管(FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2mm×2mm的8针LPCC封装形式,是为应用于发射功
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Agilent日前宣布推出高线性度的E-pHEMT(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管(FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2mm×2mm的8针LPCC封装形式,是为应用于发射功放器和接收低噪声放大器等产品而优化开发的。这些器件被广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统
Agilent today announced the introduction of a highly linear E-pHEMT (enhancement mode pseudomorphic high electron mobility transistor) FET. The product features a new, low-thermal resistance miniature 2mm × 2mm 8-pin LPCC package optimized for use in transmit and receive low noise amplifiers and other products. These devices are widely used in cellular / PCS / WCDMA base stations, near-Earth orbit satellite systems, land multi-channel multi-port distribution system
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