【摘 要】
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用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2), 并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜, DSC和WAXD法进
【机 构】
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山东大学化学化工学院,中国科学院长春应用化学研究所
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用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2), 并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜, DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相, 与M3相同, D2液晶态相行为是K90N105I113N75K, D2熔点比M3降低26～33 ℃, D2清亮点比M3降低3～15 ℃, D2液晶态温区比M3加宽11～30 ℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低2～3 ℃, D2清亮点比D1降低11～21 ℃, D2液晶态
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