【摘 要】
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硒化锑(Sb2 Se3)具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一.目前,在Sb2 Se3的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注.采用VTD法制备Sb2 Se3薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等.本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb2 Se3薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征.结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响.晶粒尺寸随
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,呼和浩特 010022;内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,呼和浩特 010022
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硒化锑(Sb2 Se3)具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一.目前,在Sb2 Se3的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注.采用VTD法制备Sb2 Se3薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等.本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb2 Se3薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征.结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响.晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密.近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb2 Se3/C器件获得了2.38％的转换效率.
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