脉冲激光沉积法合成Bi2Ti2O7介电薄膜及其光吸收特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuangjun_1988

【摘要】

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控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其

【作者】

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林元华王建飞何泓材周剑平周西松南策文

【机构】

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清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年z1期

【关键词】

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Bi2Ti2O7 脉冲激光沉积法介电性能光吸收

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302120)和国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB613303)资助项目

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控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500～600℃,均能获得纯的Bi2Ti2O7薄膜.其介电常数约18.2左右,随频率变化比较稳定,介电损耗约0.015左右,并且在紫外波段200～450nm有着较强的紫外吸收能力,有望在微电子器件中获得应用.

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