【摘 要】
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利用He—Cd^+激光器的441．6nm线光解Cs2分子，使Cs(6D)态得到布居，在Cs2密度为1～9×10^15cm^-3范围内，测量原子荧光对分子荧光强度比，得到碰撞转移率系数对解离率之比为9．6×
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 10 2 64 0 0 4)
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利用He—Cd^+激光器的441．6nm线光解Cs2分子，使Cs(6D)态得到布居，在Cs2密度为1～9×10^15cm^-3范围内，测量原子荧光对分子荧光强度比，得到碰撞转移率系数对解离率之比为9．6×10^-18cm^3。测定Cs(6D3／2)对6D5／2荧光强度分支比，得到6^2D态精细结构能级解离率之比为0．41。从翼激发得到的精细结构转移截面与从共振激发得到的截面结果相符。
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