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利用磁控溅射离子镀技术于不同占空比下在单晶Si基体上制备出纯Cr镀层，采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了纯Cr镀层表面和截面微观形貌、沉积速率和择优生长取向的变化规律。结果表明：占空比的改变显著影响着纯Cr镀层的微观形貌、择优生长取向和致密度。随着占空比的增大，纯Cr镀层的微观组织结构由柱状晶向均匀、细小纳米晶转变，纯Cr镀层的厚度和沉积速率相应增大，同时纯Cr镀层沿（110）晶面的择优生长取向程度减弱。