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为提高4H-SiC双极晶体管（BJT）的耐高压能力，采用SentaurusTCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展（JTE）和浮空场限环（FFLRs）两种基本结终端结构的平面型器件的击穿特性和击穿机理进行了比较和分析，并在此基础上进行了器件结构优化设计。优化后的结终端结构相比于常规结终端结构能够更好地调制器件的表面电场，获得更高的击穿电压，器件最大击穿电压可达到3700V以上。