【摘 要】
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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET——SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-2
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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET——SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM),SiHG47N60S的FOM为15.1
Vishay Intertechnology, Inc. announced the SiHG47N60S, a new 600V, 47A N-channel power MOSFET with an ultralow maximum on-resistance of 0.07Ω at 10V gate drive and a reduced gate charge of 216nC with TO -247 package. The product of the gate charge and the on-resistance is the figure of merit (FOM) of the MOSFET used in power conversion applications, and the FOM of SiHG47N60S is 15.1
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