SiN 团簇光电子能谱的指认

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【摘要】

：

应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较,此外还根据计算得到的低能激发能对SiN- 阴离子的光电子能谱进行了理论指认

【作者】

：

袁勇波刘玉真邓开明杨金龙

【机构】

：

南京理工大学应用物理系,南京,210094中国科技大学选键化学实验室,合肥,230026;南京理工大学应用物理系,南京,210094;中国科技大学选键化学实验室,合肥,230026;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2006年9期

【关键词】

：

团簇光电子能谱基态激发态

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应用含时密度泛函理论研究了SiN团簇低能激发态的性质.将计算结果与前人已有的计算结果进行了比较,此外还根据计算得到的低能激发能对SiN- 阴离子的光电子能谱进行了理论指认.研究表明,SiN- 阴离子的基态为1Σ态,而光电子能谱上的X峰和A峰分别对应于1Σ→2Σ和1Σ→2Π的跃迁.研究结果还表明,用含时密度泛函的方法来处理激发态的问题是成功的.

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