In0.14Ga0.86As/GaAs(4 3)表面的RHEED及STM分析

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hebeikbyz
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以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19 ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19 ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Gao.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证.
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