【摘 要】
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通过近几十年的研究,人们对于块体及薄膜材料的热电性能已经有了较全面的认识,热电优值ZT的提高取得了飞速的进展,比如碲化铋相关材料、硒化亚铜相关材料、硒化锡相关材料的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心,中国科学院大学微电子学院及材料与光电研究中心,北京量子信息科学研究院,北京市半导体微纳集成工程技术研究中心
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2019YFB1503602,2018YFB1107502),中国科学院先导B项目(批准号:XDB43020500),中国科学院科研仪器设备研制项目(批准号:GJJSTD20200006)资助的课题.
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通过近几十年的研究,人们对于块体及薄膜材料的热电性能已经有了较全面的认识,热电优值ZT的提高取得了飞速的进展,比如碲化铋相关材料、硒化亚铜相关材料、硒化锡相关材料的最大ZT值都突破了2.但是,这些体材料的热电优值距离大规模实用仍然有较大的差距.通过理论计算得知,当块体热电材料被制作成低维纳米结构材料时,比如二维纳米薄膜、一维纳米线,热电性能会得到显著的改善,具有微纳米结构材料的热电性能研究引起了科研人员的极大兴趣.当块体硅被制作成硅纳米线时,热电优值改善了将近100倍.然而,微纳米材料的热电参数测量极具挑
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