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利用基于Stillinger-Weber（SW）势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位（V1）的相互作用．不同温度、剪应力作用下的计算结果表明，在温度恒定条件下，剪应力较小时，V1对位错有钉扎作用；当施加的剪应力达到临界剪应力时，位错脱离V1的钉扎继续运动，并且将V1遗留在晶体中；随温度的升高，临界剪应力近似线性下降．通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现，V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用．