【摘 要】
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报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院化学研究所,中国科学院化学研究所
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报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结构,峰宽也无显著变化,说明Cl原子不在悬键附近.
Reported the results of ESR comparison of a-Si: (Cl, H) and a-Si: H thin films.No new spin signal was found in a-Si: (Cl, H) except g = 2.005 , Indicating that there is no unpaired electron on the Cl atom. No hyperfine structure around g = 2.005 is found, and there is no significant change in the peak width, indicating that the Cl atom is not near the dangling bond.
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