【摘 要】
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本文介绍了近年发展的在LEC法中应用磁场生长GaAs单晶的研究结果。对磁场应用的原理、设备及用于GaAs单晶生长作了较详细的论述。其中着重阐明了采用超导磁场生长半绝缘晶体
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本文介绍了近年发展的在LEC法中应用磁场生长GaAs单晶的研究结果。对磁场应用的原理、设备及用于GaAs单晶生长作了较详细的论述。其中着重阐明了采用超导磁场生长半绝缘晶体的实际效果,指出施加磁场是生长均匀性和完整性良好的、符合集成电路要求的、大直径SI-GaAs晶体的有效措施之一。
In this paper, we introduce the research results of GaAs single crystal grown by magnetic field in LEC method developed in recent years. The principles of magnetic field application, equipment and GaAs single crystal growth are discussed in more detail. It highlights the practical effect of using superconducting magnetic field to grow semi-insulating crystals. It is pointed out that the applied magnetic field is one of the effective measures to improve the uniformity and integrity of ICs and meet the requirements of large-diameter SI-GaAs crystals.
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