Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

来源 :鲁东大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ccb332

【摘要】

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采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制

【作者】

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刘建军闫金良石亮李爱丽

【机构】

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鲁东大学物理学院

【出处】

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鲁东大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2009年4期

【关键词】

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Ga2O3陶瓷靶材深紫外透明导电膜 Ga2O3/ITO/Ga2O3膜光电性质 Ca2O3 ceramic target deep ultraviolet t

【基金项目】

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鲁东大学创新团队建设项目基金（NO.08-CXB002）

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采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO（锡铟氧化物）靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征.Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1 eV;Ga2O3（45 nm）/ITO（14 nm）/Ga2O3（45nm）膜在300 nm处的光学透过率71.5%

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