【摘 要】
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针对大多数半导体可见光催化剂光生载流子容易复合、光催化活性受限制的问题,制备了Cu元素掺杂BiVO4可见光催化剂,对BiVO4结构进行修饰以提高其光催化活性.通过X射线衍射(XRD
【机 构】
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北京师范大学珠海分校不动产学院,珠海519000;北京师范大学珠海校区未来教育学院,珠海519000
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针对大多数半导体可见光催化剂光生载流子容易复合、光催化活性受限制的问题,制备了Cu元素掺杂BiVO4可见光催化剂,对BiVO4结构进行修饰以提高其光催化活性.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线能谱(XPS)和紫外-可见漫反射光谱(UV-vis)对其进行了表征,对Cu掺杂BiVO4光催化剂的光催化活性和稳定性进行了检测.结果 表明,制备的样品纯度较高,Cu掺杂后并未改变BiVO4的晶体结构,部分Bi3+离子被Cu2+取代,从而提高了BiVO4的可见光催化活性.Cu掺杂BiVO4催化剂能够在可见LED光照射下,活化过一硫酸盐(PMS)进行光催化降解染料橙黄Ⅱ.当催化剂投加量为0.5 g·L-1、过一硫酸盐投加量为0.6 mmol·L-1,反应60 min后,Cu掺杂BiVO4催化剂对橙黄Ⅱ的降解率最高.经过Cu掺杂后,光生电子和空穴的分离效率有所提高,增强了BiVO4的光催化活性.Cu-BiVO4光催化剂经5次重复使用后,对橙黄Ⅱ的降解效率仍然可以达到78.3％以上,其展现出优异的催化稳定性.
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