【摘 要】
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图1中,RG 为 MG—45型光敏电阻,VT1为3DK4开关三极管,VT2为9013三极管,VT3为 U850三极管,Y 为8Ω微型扬声器。F1—F4为 CM05四个输出端与非门 CD4011或 CC4011,变压器 T 初
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图1中,RG 为 MG—45型光敏电阻,VT1为3DK4开关三极管,VT2为9013三极管,VT3为 U850三极管,Y 为8Ω微型扬声器。F1—F4为 CM05四个输出端与非门 CD4011或 CC4011,变压器 T 初级用漆包线绕46匝,次级绕3900匝。由于本文的集成电路均为CMOS 电路,平时耗电甚微。故电池 E 采用4节1号干电池串联组成,其余元件数据参见图1上所标值。
In Figure 1, RG is a MG-45 type photoresistor, VT1 is a 3DK4 switching transistor, VT2 is a 9013 transistor, VT3 is a U850 transistor, and Y is a 8Ω miniature speaker. F1-F4 is CM05 four output NAND gate CD4011 or CC4011, transformer T primary with enameled wire around 46 turns, the secondary winding 3900 turns. Because of this article CMOS circuits are integrated circuits, usually little power consumption. Therefore, the battery E with 4 1 No. 1 battery in series, the remaining component data shown in Figure 1 on the standard value.
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