ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuehan3269
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以CF4和CH4为源气体,用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.采用FTIR仪、XPS对样品进行了测试、分析。结果表明,在薄膜内主要含有C-Fx(=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;薄膜的εr为2.07-2.65。εr与膜内F的相对浓度有关,随着沉积功率的增大,膜内F、H的含量均降低,εr升高。
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