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PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wxy199

【摘 要】

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氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性,确立了其在制备宽波谱、高功率

【出 处】

：

世界电子元器件

【发表日期】

：

2019年9期

【关键词】

：

氮化镓 PI 

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论文部分内容阅读

氮化镓(GaN)作为半导体第三代材料,近年来高频进入业界视野。各大IC厂商先后涉足氮化镓领域,源由氮化镓的宽禁带、高击穿电压、大热导率等特性,确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位,GaN器件正在向各应用领域渗透着。

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