【摘 要】
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为了解决传统基准源功耗和版图面积较大而无法适用于超高频射频识别技术中无源标签的设计,设计一无运放、全MOSFETs（metal oxide field-effect transistor）构成的低压低功耗基
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目(61531016);四川省科技支撑计划重点项目(2016GZ0059);四川省科技支撑计划重点项目(2017GZ0110)
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为了解决传统基准源功耗和版图面积较大而无法适用于超高频射频识别技术中无源标签的设计,设计一无运放、全MOSFETs（metal oxide field-effect transistor）构成的低压低功耗基准电压源。提出的全MOS结构的基准核心电路,有良好的温度特性;加入了预稳压电路而摒弃传统的运放设计,提高电源抑制比。仿真结果表明,在1.5 V典型供电电压下,输出的基准电压为619 m V,静态功耗为1.8μW;1.5-5 V基准电压变化22μV,线性调整率为4.9μV/V;低频时电源抑制比高达-102
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