量子光学学报2015年第21卷第2期 目录

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为加快利用小波变换处理干涉条纹图的速度及提高干涉测量系统的实时动态特性,提出傅里叶变换和小波变换相结合的相位求解方法。利用傅里叶变换得到单幅干涉条纹图的频谱分布,确定干涉条纹图的频率范围和干涉条纹的方向,由此得到精确的小波变换的尺度因子范围和小波旋转角度范围,从而快速完成小波变换过程,实现干涉条纹图相位求解。在计算机模拟分析中,时间能加快约10 s,在实验分析中,时间能加快约21 s。 结果表明所提方法仅需要一幅干涉条纹图,实现傅里叶变换与小波变换的有效结合,加快了干涉条纹图的处理速度,提高了干涉测量系统
设计了一种并联双结(DPJ)单晶硅太阳电池, 该电池在同一个单晶硅太阳电池内形成一个PN结和一个NP结, 分别吸收短波能量与长波能量。两个结共用一个N型区, 通过N型区形成并联结构。DPJ太阳电池的短路电流比传统单晶硅太阳电池的短路电流提高约11.9%, 电池的开路电压基本保持不变。研究了DPJ太阳电池的最佳工艺条件, 结果显示: 随着深结和浅结扩散浓度的增加, 电池的光谱响应强度均先增加后减小; 深结扩散完成后, 随着杂质再分布扩散温度的提高和扩散时间的增加, 电池的光谱响应强度先增加后基本保持不变;
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采用超声波悬浮液法,合成了组成为Ba1-xSi2O2N2xEu2 (0.01≤x≤0.08)的蓝色荧光粉,用X射线衍射仪、荧光光谱仪分别对其结构及发光性能进行了表征。结果表明,这种荧光粉的主晶相是BaSi2O2N2Eu2 ,在287~460 nm的宽波段范围内可以得到有效激发,发射出很强的蓝光。发射光谱显示出峰值在λ=487 nm的单峰宽带特征,这对应着Eu2 的4f65d→4f7跃迁, Eu2 在303 nm的波长激发下,由于无辐射弛豫现象,比在397 nm的波长激发下,有更大的斯托克斯位移。随着Eu2
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建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。该系统采用中心波长为1538 nm的WGY型半导体激光器,在0~1500 mT的大范围可调磁场下,对光隔离器用磁光晶体GdYBiIG样品的退偏效应进行了测试。测试结果表明,达到磁饱和或接近磁饱和时,GdYBiIG晶体的偏振性能最优;达到磁饱和后,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应。分析了磁致退偏效应的产生机理,给出磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。实验测试与理论分析表明,根据磁光晶体GdYBiIG这种退偏效应的规律性,在利用该类晶体制作磁光器件时,外加磁场强
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利用镁离子内扩散的方法,实现了铌酸锂单晶光纤具有抛物型折射率包层的波导结构。对扩散层中的镁离子浓度分布进行了理论模拟,理论和实验结果相符合。