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本文报道了薄膜SIMOX／SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较。实验结果表明，全耗尽器件完全消除了“Kink”效应,低场电子迁移率典型值为620cm^2/V·s，空穴迁移率为210cm^2/V·s，泄漏电流低于10^-12A；随着碱膜厚度减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响。该工作为以后薄膜全耗尽SIMOX／SOI电路的研制与分析奠定