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文章叙述了β-FeSi2环境半导体材料的晶体和半导体的基本性质：它具有0．80ev～0．89ev的直接带隙，对于红外波长有很高的吸收率；它掺入不同杂质的同时制成P型和N型半导体，避免了由于半导体两只脚材料的热膨胀系数不同而引起的热电元器件制作上的困难。文章还介绍了近些年来国内外的研究现状，同时还指出了存在的问题和研究方向。