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采用真空阴极电弧沉积技术，在NiTi记忆合金表面沉积了TiAlBN和TiAlCrFeSiBN多元膜和TiN薄膜，研究了薄膜成份及沉积工艺对NiTi合金性能和组织的影响。结果表明，在NiTi合金表面沉积TiAlBN和TiAICrFeSiBN多元膜和TiN薄膜均可降低合金在Hank溶液中的Ni溶出速率。其中多元膜的Ni溶出速率最小；提高偏压对沉积了TiAlBN多元膜的NiTi合金的Ni溶出速率无明显影响，但使沉积了TiAlCrFeSiBN膜的NiTi合金的Ni溶出速率降低。在TiAlBN和TiAlCrFeSi